硅碳外延层的选择性形成

摘要

本发明公开了用于形成含有n掺杂硅的外延层的方法。特定的实施例涉及在半导体器件、例如金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)器件中外延层的形成和处理。在特定的实施例中，n掺杂外延层的形成包括在第一温度和压力下在处理室中暴露衬底于包含硅源、碳源和n掺杂剂源的沉积气体中，然后在比沉积期间的温度和压力都高的第二温度和压力下暴露所述衬底于蚀刻剂中。

主权项

1.一种用于在衬底表面上外延形成硅碳膜的方法，包括：将包括单晶表面和第二表面的衬底放入处理室；在低于约600℃的温度和沉积压力下，暴露所述衬底于包含硅源、碳源和n型掺杂剂的沉积气体中；以及在超过约600℃的温度和至少约为在暴露于所述沉积气体期间的所述压力的10倍的压力下，暴露所述衬底于包含氯化氢的蚀刻气体中，所述方法导致在所述单晶表面上重掺杂n型外延的选择性沉积。