一种硅太阳电池发射极的扩散工艺

摘要

一种硅太阳电池发射极的扩散工艺，其步骤包括：(1)进行低温预扩散：将硅片放入扩散炉中，通入保护氮气，携带POCl₃源的氮气，氧气，扩散温度在800-840℃，时间为10-50分钟；(2)在较高温度下推进扩散：切断携带磷源的氮气，氧气，将扩散温度升至820-860℃之间，在升温及稳定温度的过程中进行磷原子的推进扩散10-40分钟；(3)扩散炉降温，并将硅片取出。本发明得到了表面中等掺杂浓度，较厚的发射极掺杂曲线，从而降低了发射极中高表面掺杂浓度所带来的复合效应，提高太阳电池的短路电流。本发明可得到较大范围内的方块电阻分布，并且能够获得满足与金属电极接触的方块电阻值。

主权项

1、一种硅太阳电池发射极的扩散工艺，其特征在于该扩散工艺采用低温预扩散、高温推进扩散两步骤，调节预扩散、推进扩散的温度和时间，控制发射极的表面掺杂浓度以及发射极的结深，调节发射极的掺杂浓度以及发射极与金属栅线之间的接触电阻。