发明名称 |
制造加速度传感器的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种制造加速度传感器的方法,其步骤如下:提供一单晶硅衬底;在单晶硅衬底上沉积绝缘层;在所述绝缘层上沉积牺牲层;利用光刻在牺牲层的表面刻蚀出若干凹槽,使所述凹槽贯穿整个牺牲层至绝缘层;在被刻蚀后的牺牲层上及凹槽内沉积多晶硅,使多晶硅表面形成与若干凹槽对应的凹孔;在两个相邻的凹孔间,用光刻刻蚀出若干间隙,从而得出所需的结构;释放牺牲层。本发明生产成本低,设计灵活。 |
申请公布号 |
CN101907635A |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN201010227927.0 |
申请日期 |
2010.07.15 |
申请人 |
瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声微电子科技(常州)有限公司 |
发明人 |
杨斌 |
分类号 |
G01P15/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01P15/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种制造加速度传感器的方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:A、提供一单晶硅衬底;B、在单晶硅衬底上沉积绝缘层;C、在所述绝缘层上沉积牺牲层;D、利用光刻在牺牲层的表面刻蚀出若干凹槽,使所述凹槽贯穿整个牺牲层至绝缘层;E、在被刻蚀后的牺牲层上及凹槽内沉积多晶硅,使多晶硅表面形成与若干凹槽对应的凹孔;F、在两个相邻的凹孔间,用光刻刻蚀出若干间隙,从而得出所需的结构;G、释放牺牲层。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园北区新西路18号 |