薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括一基板、一栅极、一栅绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层以及一源极与一漏极。其中，栅极配置于基板上，而栅绝缘层配置于基板上，并覆盖栅极。半导体层配置于栅绝缘层上，且位于栅极上方。半导体层包括一未掺杂非晶硅层与一第一未掺杂微晶硅层，其中第一未掺杂微晶硅层则配置于未掺杂非晶硅层上。另外，掺杂微晶硅作为欧姆接触层配置于部分半导体层上，而源极与漏极则配置于欧姆接触层上。因此，本发明的薄膜晶体管具有较佳的品质控制及电性特性。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一栅极，配置于所述基板上；一栅绝缘层，配置于所述基板上，并覆盖所述栅极；一半导体层，配置于所述栅绝缘层上，并位于所述栅极上方，而所述半导体层包括：一未掺杂非晶硅层；一第一未掺杂微晶硅层，配置于所述未掺杂非晶硅层上；一掺杂微晶硅作为欧姆接触层，配置于部分所述半导体层上；以及一源极与一漏极，配置于所述欧姆接触层上。