发明名称 |
利用光脉冲对形成在半导体晶片上的结构进行的光学度量 |
摘要 |
可通过将入射脉冲导向形成在晶片上的结构来检查该结构,其中入射脉冲是亚皮秒光脉冲。测量由于入射脉冲因该结构而衍射导致的衍射脉冲。然后基于测得的衍射脉冲确定该结构的轮廓的特性。 |
申请公布号 |
CN101115969B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200680004509.7 |
申请日期 |
2006.02.06 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
鲍君威;乔格·比斯彻夫 |
分类号 |
G01B11/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01B11/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
王怡 |
主权项 |
一种检查形成在晶片上的结构的方法,该结构具有轮廓,该方法包括:将入射脉冲导向所述结构,其中所述入射脉冲是亚皮秒光脉冲;测量由于所述入射脉冲因所述结构而衍射导致的衍射脉冲;获得所述入射脉冲的时间信号;将所述入射脉冲的时间信号与所述结构的冲击响应相卷积,以生成仿真衍射脉冲,其中所述结构的假设轮廓与所述仿真衍射脉冲相关联;将所述测得的衍射脉冲与所述仿真衍射脉冲相比较;以及当所述测得的衍射脉冲与所述仿真衍射脉冲按照某个匹配标准匹配时,基于与所述仿真衍射脉冲相关联的所述结构的假设轮廓来确定所述结构的轮廓的特性。 |
地址 |
日本东京都 |