半导体受光元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种可以抑制暗电流以及劣化的半导体受光元件及其制造方法。在n型InP基板(1)上，按顺序生长由n型InP缓冲层(2)、未掺杂GaInAs光吸收层(3)、未掺杂InP扩散缓冲层(4)、以及p型InP窗层(5)构成的半导体结晶。然后，从p型InP窗层(5)到n型InP缓冲层(2)，利用选择刻蚀性低的Br系列刻蚀剂来除去成倾斜型顺台面形状而形成第一台面。然后，从p型InP窗层(5)到未掺杂InP扩散缓冲层(4)的途中利用干刻蚀来精密地除去，而形成直径比第一台面小的第二台面。

主权项

一种半导体受光元件，包括：第1导电类型半导体基板；和设在上述第1导电类型半导体基板上、且顺序包含第1导电类型层、光吸收层、扩散缓冲层、以及第2导电类型层的半导体层，其中，在上述半导体层中的至少包含上述光吸收层的层中设有第一台面；在上述半导体层中的至少包含上述扩散缓冲层以及上述第2导电类型层的层中设有直径比上述第一台面小的第二台面。