发明名称 |
制造图像传感器的方法 |
摘要 |
本发明公开了制造图像传感器的方法,该方法包括以下步骤:在其中形成有光电二极管的衬底上方形成层间介电层;在该层间介电层上方形成光致抗蚀剂膜;从多个不同的角度多次曝光该光致抗蚀剂膜;以及通过显影经曝光的该光致抗蚀剂膜以形成微透镜。其不包括回流工艺,而是包括从不同角度多次曝光光致抗蚀剂膜,然后,通过显影经曝光的光致抗蚀剂膜,形成一个或多个微透镜。根据本发明的方法可以简化形成微透镜的工艺,并且最小化微透镜的间隔而防止微透镜的桥接,以增加入射到光电二极管的光量,从而最佳化图像质量。 |
申请公布号 |
CN101442066B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200810176265.1 |
申请日期 |
2008.11.19 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
沈莲娥 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/71(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G02B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郑小军;冯志云 |
主权项 |
一种制造图像传感器的方法,包括以下步骤:在其中形成有光电二极管的衬底上方形成层间介电层;然后在该层间介电层上方形成光致抗蚀剂膜;然后在该光致抗蚀剂膜上实施最佳焦点曝光;以及然后在经最佳焦点曝光的该光致抗蚀剂膜上实施散焦曝光;以及然后通过显影经曝光的该光致抗蚀剂膜以形成微透镜,其中实施该最佳焦点曝光的步骤包括:曝光在相邻微透镜之间的间隔中的该光致抗蚀剂膜,以及在该光致抗蚀剂膜上以角度垂直于该光致抗蚀剂膜顶部表面的入射光进行曝光。 |
地址 |
韩国首尔 |