| 发明名称 | 半导体存储装置、控制装置、控制方法 | ||
| 摘要 | 提供半导体存储装置、控制装置、控制方法，具有：多个单元，能够存储数据；阈值决定部，基于规定的管理信息，把要写入多个单元中的每个单元的值决定为2值或多值，基于所决定的要写入多个单元中的每个单元的值，来决定阈值，所述规定的管理信息是用于管理数据的信息；写入部，基于由阈值决定部决定的阈值，向多个单元写入数据。 | ||
| 申请公布号 | CN101911207A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200880122684.5 | 申请日期 | 2008.01.16 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 春日和则 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G06F12/00(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I;G06F12/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 浦柏明;徐恕 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，其特征在于，具有：多个单元，能够存储数据，阈值决定部，基于规定的管理信息，把要写入所述多个单元中的每个单元的值决定为2值或多值，基于所决定的要写入所述多个单元中的每个单元的值来决定阈值，所述规定的管理信息是用于管理数据的信息，写入部，基于由所述阈值决定部决定的阈值，向所述多个单元写入所述数据。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||