| 发明名称 | 制造非易失性存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：提供具有有源区和隔离区的半导体衬底，其中在每个有源区之上形成有栅绝缘层和浮置栅，并在各个隔离区中形成有隔离层；在浮置栅和隔离层的表面上形成电介质层；通过使用氮源气体、硅源气体和掺杂气体的多晶硅沉积工艺，在所述电介质层之上形成多晶硅层；以及将多晶硅层图案化，以形成控制栅。 | ||
| 申请公布号 | CN101908509A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN201010194469.5 | 申请日期 | 2010.06.08 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 黄善珏 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有有源区和隔离区的半导体衬底，其中在每个所述有源区之上形成有栅绝缘层和浮置栅，并在各个所述隔离区中形成有隔离层；在所述浮置栅和所述隔离层的各自的表面上形成电介质层；通过使用氮源气体、硅源气体和掺杂气体的多晶硅沉积工艺，在所述电介质层之上形成多晶硅层；以及将所述多晶硅层图案化，以形成控制栅。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||