发明名称 | 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 | ||
摘要 | 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法,包括如下步骤:步骤1:选择一n+型GaAs单晶片作为衬底;步骤2:在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层;步骤3:在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构,作为电池的i吸收层;步骤4:在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al0.4Ga0.6As层和ZnS/MgF2层;步骤5:在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极;步骤6:在衬底10的下表面制作下金属电极;步骤7:对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。 | ||
申请公布号 | CN101908581A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
申请号 | CN201010217374.0 | 申请日期 | 2010.06.23 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王科范;杨晓光;杨涛;王占国 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法,包括如下步骤:步骤1:选择一n+型GaAs单晶片作为衬底;步骤2:在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层;步骤3:在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构,作为电池的i吸收层;步骤4:在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al0.4Ga0.6As层和ZnS/MgF2层;步骤5:在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极;步骤6:在衬底10的下表面制作下金属电极;步骤7:对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |