半导体集成电路器件的制造方法

摘要

提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术，包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时，将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面，然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带，将切割带粘附到半导体晶片的背表面，而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片，以及借助于切割带按压芯片的背表面，由此从切割带释放芯片。

主权项

一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)提供半导体晶片，所述半导体晶片具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述半导体晶片具有在所述第一主表面之上形成的电路图案并且所述半导体晶片具有第一厚度；(b)研磨所述半导体晶片的所述第二主表面，由此使所述半导体晶片变为比所述第一厚度薄的第二厚度；(c)在所述步骤(b)之后，通过执行以下操作之一来在所述半导体晶片的第二主表面上形成氧化膜：利用引入臭氧的纯水清洗所述半导体晶片、利用引入二氧化碳的纯水清洗所述半导体晶片、利用过氧化氢水和纯水清洗所述半导体晶片、向所述半导体晶片的第二主表面或切割带的表面提供氧化剂、将气态氧喷射到所述半导体晶片的第二主表面、将热气喷吹到所述半导体晶片的第二主表面、将所述半导体晶片布置在热板上使得所述半导体晶片的第二主表面面向所述热板；(d)在所述步骤(c)之后，将所述切割带粘附在所述半导体晶片的所述第二主表面之上，使得所述切割带与所述氧化膜接触；(e)在所述步骤(d)之后，切割所述半导体晶片，由此将所述半导体晶片分成各个芯片；以及(f)在所述步骤(e)之后，将所述各个芯片从所述切割带拾取。