磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法

摘要

本发明提供一种磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法。其中，由NiFeN制成的底层(2)设置于衬底的主表面之上。由包含Ir和Mn的反铁磁材料制成的钉扎层(3)设置于底层上。由铁磁材料制成的基准层(4c)设置于钉扎层之上，其中该铁磁材料的磁化方向通过直接或经由另一铁磁材料层与钉扎层交换耦合而固定。由非磁性材料制成的非磁性层(7)设置于基准层之上。由铁磁材料制成的自由层(8)设置于非磁性层之上，其中该铁磁材料的磁化方向根据外部磁场而改变。本发明能够防止器件性能因钉扎层的表面光滑度恶化而退化。

主权项

一种磁阻效应器件，包括：底层，由NiFeN制成且设置于衬底的主表面之上；钉扎层，由包含Ir和Mn的反铁磁材料制成且设置于所述底层上；基准层，设置于所述钉扎层之上且由如下铁磁材料制成：该铁磁材料的磁化方向通过直接或经由另一铁磁材料层与所述钉扎层交换耦合而固定：非磁性层，由非磁性材料制成且设置于所述基准层之上；以及自由层，设置于所述非磁性层之上且由如下铁磁材料制成：该铁磁材料的磁化方向根据外部磁场而改变。