半导体器件及其制造工艺

摘要

本发明提供一种通过采用具有均匀组分的栅电极可以防止功函数偏移和由于Vth的有效控制呈现良好工作特性的半导体器件。该半导体器件的特征在于包括PMOS晶体管、NMOS晶体管、包括具有高介电系数的含Hf-的绝缘膜的栅绝缘膜、包括硅化物区(A)和硅化物区(B)的线电极，所述硅化物区(A)和硅化物区(B)之一包括在硅化反应中用作扩散物种的金属M的硅化物(a)、包含与栅绝缘膜接触的硅化物层(C)的另一硅化物区，所述硅化物层(C)包括金属M的硅化物(b)，所述硅化物(b)具有比硅化物(a)更小的金属M的原子组份比、以及可以基本上防止金属M在所述硅化物(b)中扩散的掺杂剂。

主权项

一种半导体器件，包括：N 型区和P 型区，在半导体衬底内形成，使得通过隔离区隔离所述N 型区和所述P 型区；线电极，从所述N 型区上方的区域穿过所述隔离区上方的区域延伸到所述P 型区上方的区域；PMOS晶体管，包括由所述N 型区上方的线电极构成的第一栅电极和在所述第一栅电极和所述半导体衬底之间形成的栅绝缘膜；以及NMOS晶体管，包括由所述P 型区上方的线电极构成的第二栅电极和在所述第二栅电极和所述半导体衬底之间形成的栅绝缘膜，其中，所述栅绝缘膜至少包括与所述第一栅电极和所述第二栅电极接触的HfSiON膜，所述线电极包括第一硅化物区和第二硅化物区，所述第一硅化物区包括所述第一栅电极，所述第二硅化物区包括所述第二栅电极，所述第一硅化物区和所述第二硅化物区中的一个硅化物区包含第一Ni硅化物，所述第一硅化物区和所述第二硅化物区中的另一硅化物区包括与所述栅绝缘膜接触的硅化物层，以及所述硅化物层包括具有比所述第一Ni硅化物更小的Ni的原子组份比的第二Ni硅化物和掺杂剂，所述掺杂剂是从由B、As、C、F和N组成的组中选择的至少一种元素。