半导体结构及其方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其方法。将高性能双极晶体管集成到包含CMOS器件的BiCMOS结构中，其中所述高性能双极晶体管具有升高的自对准的外部基极。通过形成衬垫层和相对于预先存在的CMOS器件的源极和漏极增加内部基极层的高度，以及通过选择性外延来形成外部基极，在外部基极的光刻构图期间最小化拓扑变化的效果。此外，在制造双极器件期间，由于不采用任何的化学机械平坦化工艺，所以降低了工艺集成的复杂性。形成内部间隔物或外部间隔物来隔离基极与发射极。衬垫层、内部基极层以及外部基极层形成了具有重合的外侧壁表面的台面结构。

主权项

一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤：在有源半导体区域之上形成至少一个衬垫层；在所述至少一个衬垫层中形成开口以暴露所述有源半导体区域；直接在所述有源半导体区域上淀积内部基极层；在所述内部基极层上形成至少一个发射极台座层；直接在所述内部基极层上形成发射极台座；在所述内部基极层的暴露的部分上选择性地淀积外部基极层；在所述外部基极层上形成基极帽介质层；以及形成具有基本上平坦和垂直的侧壁表面的台面结构，其中每一个所述侧壁表面包含所述至少一个衬垫层、所述内部基极层以及所述外部基极层。