| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体发光元件中设有具有发光功能的半导体衬底(2)、阳极(3)、欧姆接触区(4)、合金化阻止用的光透射层(20)、金属光反射层(5)以及导电性支持衬底(8)。所述光透射层(20)由绝缘性材料构成，并具有阻止所述半导体衬底(2)和金属光反射层(5)的合金化的作用。所述欧姆接触区(4)以可透射光的厚度形成。从所述半导体衬底(2)发出的光通过所述光透射层(20)后在所述金属光反射层(5)上反射，并通过所述欧姆接触区(4)后在所述金属光反射层(5)反射。结果提高了半导体发光元件的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1759491B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200480006269.5 | 申请日期 | 2004.03.05 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 室伏仁;青柳秀和;武田四郎;内田良彦 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其特征在于设有：半导体衬底(2)，其中设有对发光有贡献的多个化合物半导体层(11、12、13)，且设有用以取出光的一主面(15)和该主面(15)相反侧的另一主面(16)；电极(3)，与所述半导体衬底(2)的一主面(15)连接；欧姆接触区(4)，设于所述半导体衬底(2)的另一主面(16)的一部分上，且与所述半导体衬底(2)欧姆接触；光透射层(20)，配置在所述半导体衬底(2)的另一主面(16)中未配置所述欧姆接触区(4)的部分的至少一部分上，具有使由所述半导体衬底(2)发出的光透射的功能且具有阻止或抑制所述半导体衬底(2)和金属的反应的功能；金属光反射层(5)，配置成覆盖所述欧姆接触区(4)和所述光透射层(20)且具有反射从所述半导体衬底(2)发出的光的功能；以及与所述金属光反射层(5)电连接的另一电极。 | ||
| 地址 | 日本新座市 | ||