发明名称 |
打断共轭超支化聚合物材料及制备方法和应用 |
摘要 |
打断共轭超支化聚合物材料及制备方法和应用属有机光电材料科技领域,具体为一种打断共轭超支化聚合物材料及其制备方法,并将该类材料应用于有机发光显示、有机光存储、有机光伏电池、有机场效应管、化学与生物传感和有机激光等有机电子领域,该材料是以基于三苯胺的复杂的9,9-二芳基芴为支化单体的聚合物材料,具有如下结构:<img file="200710131488.1_AB_0.GIF" wi="392" he="253" />该材料具有:1)合成方便易得;2)特殊的非平面构象和π-共轭链打断的特点;3)高热稳定性和玻璃化温度等优点。可以预期,该类材料将成为有商业化潜力的光电功能材料。 |
申请公布号 |
CN101161698B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200710131488.1 |
申请日期 |
2007.08.31 |
申请人 |
南京邮电大学 |
发明人 |
黄维;解令海 |
分类号 |
C08G61/00(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I |
主分类号 |
C08G61/00(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
叶连生 |
主权项 |
1.一种打断共轭超支化聚合物材料,其特征在于该材料是基于三苯胺的复杂的9,9-二芳基芴为支化单体的聚合物材料,具有如下结构:<img file="FSB00000236828700011.GIF" wi="1846" he="1102" />式中:R<sub>1</sub>为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链;W为碳;E为封端基团,x,y在1~100之间的数字,E具体为如下列结构中的一种:<img file="FSB00000236828700012.GIF" wi="1448" he="776" />Ar为共轭基团,出现时相同或者不同,具体为下列结构中的一种:<img file="FSB00000236828700021.GIF" wi="1230" he="631" />其中,式中的符号具有下述含义:-<sup>*</sup>为结构单元之间、Ar与支化单体连接的位置区域;R<sub>2</sub>选自氢或正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基或正癸基或正辛氧基链中的任意一种。 |
地址 |
210003 江苏省南京市新模范马路66号 |