| 发明名称 | 激光二极管用外延晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种激光二极管用外延晶片，其中的p型AlGaInP包覆层中的p型载流子浓度均匀、且p型杂质的扩散少。本发明提供的激光二极管用外延晶片具有双异质结构，在n型GaAs衬底(1)上，依次至少层叠由AlGaInP系材料构成的n型包覆层(2)、活性层(3)以及p型包覆层(4)，该激光二极管用外延晶片中，所述由AlGaInP系材料构成的p型包覆层(4)中的p型杂质是碳，所述p型包覆层(4)中的载流子浓度在8.0×1017cm-3以上、1.5×1018cm-3以下的范围。 | ||
| 申请公布号 | CN101425658B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200810212432.3 | 申请日期 | 2008.08.26 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 黑须健 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 激光二极管用外延晶片，其为具有双异质结构的化合物半导体外延晶片，即在n型GaAs衬底上依次至少层叠n型包覆层、活性层以及p型包覆层，并且所述n型包覆层、活性层以及p型包覆层均由AlGaInP系材料构成，其特征在于，所述由AlGaInP系材料构成的p型包覆层中的p型杂质为碳，所述p型包覆层中的载流子浓度在8.0×1017cm 3以上、1.5×1018cm 3以下的范围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||