发明名称 太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法
摘要 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法,该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法,其特征为至少包含下列步骤:在该第一导电类型半导体基板上,涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后,通过扩散热处理,同时形成第一扩散层以及第二扩散层;该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成;该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合,从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法,可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
申请公布号 CN101167191B 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200680013998.2 申请日期 2006.04.11
申请人 信越半导体股份有限公司;直江津电子工业株式会社;信越化学工业株式会社 发明人 大塚宽之;高桥正俊;石川直挥;斋须重德;植栗豊敬;生岛聪之;渡部武纪;赤塚武;大西力
分类号 H01L31/04(2006.01)I 主分类号 H01L31/04(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 陈晨
主权项 一种太阳能电池的制造方法,为在第一导电类型半导体基板上形成PN结而制造出太阳能电池的方法,其特征为至少包含下列步骤:在该第一导电类型半导体基板上,通过网版印刷来涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少通过旋转涂布来涂布含有掺杂剂的第二涂布剂,使所涂布的第二涂布剂与该第一涂布剂连接,然后,通过扩散热处理,在不形成掩模的状态下同时形成第一扩散层以及第二扩散层;该第一扩散层是通过涂布该第一涂布剂形成的;该第二扩散层是通过涂布该第二涂布剂形成的,且该第二扩散层的导电率低于该第一扩散层的导电率;该第一涂布剂与该第二涂布剂的掺杂剂的含有率、粘度、掺杂剂飞散防止剂与自动掺杂防止剂的含量以及掺杂剂的种类之中至少一种相异,和/或该第一涂布剂与该第二涂布剂涂布时的涂布厚度相异;以及,该第一涂布剂的掺杂剂含有率是该第二涂布剂的掺杂剂含有率的四倍以上。
地址 日本东京都