用于去除表面层而不损失基片的中等压力等离子体系统

摘要

提供了用于从半导体晶片去除光致抗蚀剂或其他有机化合物的系统和方法。非氟化的反应剂气体(O2、H2、H2O、N2等)在石英管内通过中等压力的表面波放电激活。当等离子体射流冲击在基片上时，挥发性反应产物(H2O、CO2或低分子量的碳氢化合物)选择性地从表面去除光致抗蚀剂。中等压力也实现了在晶片上的反应区内提供了有效的热源的高的气体温度，这提高了蚀刻速度且提供了去除植入离子的光致抗蚀剂的实用的方式。

主权项

一种用于在制造过程中选择性地从工件去除表面层的设备，包括：用于限定大气至亚大气环境且其内接收工件的处理室；用于生成等离子体的等离子体施加器，等离子体施加器包括：反应剂处理气体加压供应源；与所述的反应剂处理气体加压供应源流体连通的等离子体放电管；用于将电磁功率引导向所述的等离子体放电管以在其内生成等离子体的电磁功率源；和位于所述的等离子体放电管端部处以用于在向该工件的方向将该等离子体气体喷射到所述的处理室内的喷嘴开口；和包括管道的冷却系统，该管道围绕所述的等离子体放电管以用于通过该等离子体放电管循环气态冷却剂，因此该管道绕所述的等离子体放电管形成了冷却通道，机械定位系统，所述的机械定位系统包括用于将工件接收和维持在其上的卡盘，以便该卡盘相对于所述的喷嘴扫描所述工件，使得所述的工件的表面层暴露于所述的等离子体，其中所述的机械定位系统包括多个用于扫描所述的工件表面的机电式平移台，所述的平移台可运行使得所述的卡盘可以以大于2.5倍重力加速度的加速度而加速，且以大于100cm/s的线性速度定位。