| 发明名称 | 溅射靶及使用其的Si氧化膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 通过X射线衍射法测定溅射面的结晶面方位时，Si溅射靶的Si的(111)面的峰强度(I(111))与(220)面的峰强度(I(220))的比率(I(111)/I(220))在1.8±0.3的范围。Si溅射靶具有例如相对密度在70％以上95％以下范围的Si烧结材。通过这样的Si溅射靶，可改善Si氧化膜等溅射膜的膜厚特性以及成膜成本等。 | ||
| 申请公布号 | CN1856591B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200480027599.2 | 申请日期 | 2004.09.22 |
| 申请人 | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 | 发明人 | 渡边光一;铃木幸伸;石上隆 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;G02B1/11(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 溅射靶，所述溅射靶是实质上由纯度为99质量％以上的Si材形成的溅射靶，其特征在于，由X射线衍射法测定上述靶的溅射面的结晶面方位上的Si的(111)面的峰强度(I(111))与(220)面的峰强度(I(220))的比率(I(111)/I(220))在1.8±0.3的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||