| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置。第一层(3)设置在第一电极(5)上，并且具有第一导电型。第二层(1)设置在第一层(3)上，并且具有与第一导电型不同的第二导电型。第三层(CLa)设置在第二层(1)上。第二电极(4)设置在第三层(CLa)上。第四层(15)设置在第二层(1)和第三层(Cla)之间，并且具有第二导电型。第三层(CLa)具有第一部分(2)和第二部分(16)。第一部分(2)具有第二导电型，并且具有比第二层(1)的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值。第二部分(16)具有第一导电型。第二部分(16)的面积相对于第一部分(2)和第二部分(16)的总面积所占的比例是20％以上95％以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101908558A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN201010180242.5 | 申请日期 | 2010.05.14 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 中村胜光 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有：第一电极；第一层，设置在所述第一电极上，并且具有第一导电型；第二层，设置在所述第一层上，并且具有与所述第一导电型不同的第二导电型；第三层，设置在所述第二层上；第二电极，设置在所述第三层上；以及第四层，设置在所述第二层和所述第三层之间，并且具有所述第二导电型，所述第三层包含：第一部分，具有所述第二导电型，并且具有比所述第二层的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值；以及第二部分，具有所述第一导电型，所述第二部分的面积相对于所述第一和第二部分的总面积所占的比例是20％以上95％以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||