半导体元件及其制造方法

摘要

本发明是关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件，其包括基底、栅极结构、掺杂区以及轻掺杂区。基底具有一阶状上表面，其中阶状上表面包括第一表面、第二表面及第三表面。第二表面低于第一表面。第三表面连接第一表面与第二表面。栅极结构配置于第一表面上。掺杂区配置于栅极结构两侧的基底中，且位于第二表面下。轻掺杂区分别配置于栅极结构与掺杂区之间的基底中。各轻掺杂区包括相互连接的第一部分与第二部分。第一部分配置于第二表面下，且第二部分配置于第三表面下。该半导体元件具有倾斜且弯曲的轻掺杂区作为源极漏极延伸，有助于减轻热载子效应而不需降低轻掺杂区的掺质浓度，还可减少栅极引发漏极漏电流与栅极漏极间的重叠电容。

主权项

一种半导体元件，其特征在于其包括：一基底，具有一阶状上表面，其中该阶状上表面包括一第一表面、低于该第一表面的一第二表面、连接该第一表面与该第二表面的第三表面；一栅极结构，配置于该第一表面上；两掺杂区，配置于该栅极结构两侧的该基底中，且位于该第二表面下；以及两轻掺杂区，分别配置于该栅极结构与该些掺杂区之间的该基底中，其中各该些轻掺杂区包括：一第一部分，位于该第二表面下；以及一第二部分，连接该第一部分，且位于该第三表面下。