| 发明名称 | 使用来自翘曲数据的反馈的纳米形貌控制和优化 | ||
| 摘要 | 使用具有研磨轮(209)的对的双面研磨机(101)处理晶片。通过翘曲测量设备(103)获得翘曲数据，该设备用于测量通过所述双面研磨机(101)研磨的晶片的翘曲。接收所述翘曲数据，并基于所接收的翘曲数据预测所述晶片的纳米形貌。基于所预测的所述晶片的纳米形貌确定研磨参数。基于所确定的研磨参数调整所述双面研磨机(101)的操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101909817A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200880123507.9 | 申请日期 | 2008.12.29 |
| 申请人 | MEMC电子材料有限公司 | 发明人 | S·S·巴加瓦特;R·R·旺达姆;T·科穆拉;金子智彦;风间卓友 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01)I;B24B49/03(2006.01)I;B24B51/00(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 一种使用双面研磨机处理晶片的方法，所述双面研磨机至少具有研磨轮的对，所述方法包括：接收通过翘曲测量设备获得的数据，所述翘曲测量设备用于测量通过所述双面研磨机研磨的晶片的翘曲，所接收的翘曲数据指示出所测量的翘曲；基于所接收的翘曲数据预测所述晶片的纳米形貌；基于所预测的所述晶片的纳米形貌确定研磨参数；基于所确定的研磨参数调整所述双面研磨机的操作。 | ||
| 地址 | 美国密苏里州 | ||