用于相变存储器存储单元的低应力多级读取的方法和多级相变存储器设备

摘要

提供一种用于相变存储器存储单元的多级读取的方法，首先选择位线(9)和PCM存储单元(2)并向所选位线(9)施加第一偏压(VBL、V00)。将响应于第一偏压(VBL、V00)而流过所选位线(9)的第一读出电流(IRD00)与第一基准电流(I00)相比较。第一基准电流(I00)使得第一读出电流(IRD00)在所选PCM存储单元(2)处于复位状态时低于第一基准电流(I00)，否则第一读出电流(IRD00)大于第一基准电流(I00)。然后基于将第一读出电流(IRD00)与第一基准电流(I00)相比较来确定所选PCM存储单元(2)是否处于复位状态。如果所选PCM存储单元(2)未处于复位状态，则向所选位线(9)施加大于第一偏压(VBL、V00)的第二偏压(VBL、V01)。

主权项

一种用于相变存储器存储单元的多级读取的方法，该方法包括：选择位线和耦合到所选位线的相变存储器存储单元；向所述所选位线施加第一偏压(VBL、V00)；将响应于所述第一偏压(VBL、V00)而流过所述所选位线的第一读出电流(IRD00)与第一基准电流(I00)相比较，其中所述第一基准电流(I00)使得当所选相变存储器存储单元处于复位状态时所述第一读出电流(IRD00)与所述第一基准电流(I00)处于第一关系，否则所述第一读出电流(IRD00)与所述第一基准电流(I00)处于第二关系；以及基于将所述第一读出电流(IRD00)与所述第一基准电流(I00)相比较，确定所述所选相变存储器存储单元是否处于复位状态；其特征在于如果所述所选相变存储器存储单元未处于复位状态，则向所述所选位线施加第二偏压(VBL、V01)，所述第二偏压(VBL、V01)大于所述第一偏压(VBL、V00)。