发明名称 |
信号传输系统与方法及其输出信号驱动装置 |
摘要 |
一种信号传输系统,包括信号输出单元及信号接收单元。信号输出单元接收第一信号及输出第二信号。信号接收单元接收第二信号及输出第三信号。信号输出单元包括反相装置及输出信号驱动装置。反相装置接收第一信号及输出第一反相信号。输出信号驱动装置接收第一反相信号及输出第二信号。输出信号驱动装置包括第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管。第一NMOS晶体管的漏极偏压于第一电压,其栅极接收控制信号。第二NMOS晶体管的栅极接收第一反相信号,其源极偏压于第二电压,其漏极与第一NMOS晶体管的源极耦接,并输出第二信号。 |
申请公布号 |
CN1588819B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200410083430.0 |
申请日期 |
2004.09.28 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
吕世香 |
分类号 |
H04B3/18(2006.01)I;H03K19/0185(2006.01)I |
主分类号 |
H04B3/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
任永武 |
主权项 |
一种输出信号驱动装置,其与一反相装置电性连接,该反相装置接收一第一信号并输出一第一反相信号,该输出信号驱动装置接收该第一反相信号并输出一第二信号,该输出信号驱动装置包括:一第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管,该第一NMOS晶体管的漏极是偏压于一第一电压,该第一NMOS晶体管的栅极是接收一控制信号,该控制信号是与该第一信号同相;以及一第二NMOS晶体管,该第二NMOS晶体管的栅极接收该第一反相信号,该第二NMOS晶体管的源极偏压于一第二电压,该第二电压小于该第一电压,该第一NMOS晶体管的源极与该第二NMOS晶体管的漏极耦接,并输出该第二信号,该第二信号是与该第一信号同相;一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管,该PMOS晶体管的源极与该第一NMOS晶体管的漏极耦接,该PMOS晶体管的栅极与该第二NMOS晶体管的栅极耦接,该PMOS晶体管的漏极与该第一NMOS晶体管的源极耦接。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 |