发明名称 一种制备纳米材料的真空管式炉
摘要 本发明公开了一种制备纳米材料的真空管式炉,它包括密封的真空室(2),所述真空室(2)设置在炉体(1)内,真空室(2)内气流下游处设置有衬底(7),其特征是:该真空室(2)连接有至少一个能控制和调节源材料蒸发速率的源材料蒸发器(16),所述源材料蒸发器(16)连接在真空室(2)垂直于气流方向的一端。本发明采用控制源组分通量技术,可实现组分的精确控制、梯度掺杂和衬底的原位操作等功能;全系统由计算机控制,因此自动化程度高、控制精度高、数据的准确性强;该设备还具有设备简单、结构紧凑、操作简便、使用费用低等、生产效率高、节约能源优点。
申请公布号 CN101091893B 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200710017880.3 申请日期 2007.05.18
申请人 西安建筑科技大学 发明人 王发展;原思聪
分类号 B01J3/00(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I 主分类号 B01J3/00(2006.01)I
代理机构 西安西达专利代理有限责任公司 61202 代理人 第五思军
主权项 一种制备纳米材料的真空管式炉,它包括密封的真空室(2),所述真空室(2)设置在炉体(1)内,所述真空室(2)设有用于输送源材料蒸气的载气系统(11)和用于与源材料蒸气反应的载气系统(12),真空室(2)内气流下游处设置有衬底(7),其特征是:该真空室(2)连接有大于一个能控制和调节源材料蒸发速率的源材料蒸发器(16),所述源材料蒸发器(16)连接在真空室(2)垂直于气流方向的一端。
地址 710055 陕西省西安市雁塔路13号