| 发明名称 | 蚀刻高纵横比接触的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供用于在电介质层中蚀刻接触开口的方法和蚀刻气体组合物。所述方法的实施例使用从蚀刻气体产生的等离子体，所述蚀刻气体由C4F8和/或C4F6、氧源和载气结合四氟乙烷(C2F4)或C2F4的卤代氟碳化合物类似物构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101911263A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200880123894.6 | 申请日期 | 2008.12.16 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 拉塞尔·A·本森;特德·泰勒;马克·基尔鲍赫 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 沈锦华 |
| 主权项 | 一种在电介质层中蚀刻开口的方法，其包含：从C4F6、C4F8或C4F6与C4F8的混合物、氧源气体、惰性气体和C2F4形成等离子体蚀刻气体；以及以所述等离子体蚀刻气体穿过所述电介质层蚀刻所述开口到达下伏衬底，其中在所述蚀刻期间沿所述开口的侧壁维持保形聚合物层。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||