发明名称 |
存储器单元和形成存储器单元的磁性隧道结(MTJ)的方法 |
摘要 |
本发明揭示一种包括存储器单元的存储器和用于产生所述存储器单元的方法。所述存储器包括处于第一平面内的衬底。提供在第二平面内延伸的第一金属连接。所述第二平面大体上正交于所述第一平面。提供磁性隧道结(MTJ),所述磁性隧道结(MTJ)具有耦合到所述金属连接的第一层,使得所述MTJ的所述第一层沿所述第二平面定向。 |
申请公布号 |
CN101911326A |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200980101856.5 |
申请日期 |
2009.01.08 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
顾时群;升·H·康;马修·M·诺瓦克 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
刘国伟 |
主权项 |
一种存储器,其包含:处于第一平面内的衬底;在第二平面内延伸的第一金属连接,其中所述第二平面大体上正交于所述第一平面;以及第一磁性隧道结(MTJ),其具有耦合到所述金属连接的第一层,使得所述MTJ的所述第一层沿所述第二平面定向。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |