多晶硅叠层、双栅以及半导体材料叠层刻蚀方法

摘要

本发明提供了一种多晶硅叠层刻蚀方法、双栅刻蚀方法以及半导体材料叠层刻蚀方法。所述多晶硅叠层刻蚀方法包括：光刻胶涂覆步骤，用于在顶部多晶硅层上涂覆光刻胶；曝光步骤，用于对光刻胶进行曝光以得到光刻胶图案；第一刻蚀步骤，用于以执行曝光步骤之后得到的光刻胶图案为掩模刻蚀顶部多晶硅层，以使得刻蚀后的顶部多晶硅层的截面形成一个上窄下宽的梯形；以及第二刻蚀步骤，用于以执行曝光步骤之后得到的光刻胶图案为掩模刻蚀底部多晶硅层。根据本发明的刻蚀方法，所得到的多晶硅叠层的侧壁能够相对比较垂直，消除了侧壁上的倒凹；并且，本发明的刻蚀方法还保证了不会出现底部多晶硅残留以及顶部多晶硅层上宽下窄的楔形轮廓。

主权项

一种多晶硅叠层刻蚀方法，包括：光刻胶涂覆步骤，用于在顶部多晶硅层上涂覆光刻胶；以及曝光步骤，用于对光刻胶进行曝光以得到光刻胶图案；所述方法的特征在于，所述方法还包括：第一刻蚀步骤，用于以得到的光刻胶图案为掩模刻蚀顶部多晶硅层，以使得刻蚀后的顶部多晶硅层的截面形成一个上窄下宽的梯形；以及第二刻蚀步骤，用于以得到的光刻胶图案为掩模刻蚀底部多晶硅层。