发明名称 一种碳纳米管的修饰方法和碳纳米管电子器件的制造方法
摘要 本发明公开了一种碳纳米管的修饰方法和碳纳米管电子器件的制造方法。所述碳纳米管的修饰方法包括以下步骤:1)将碳纳米管浸入氯金酸的水和还原性有机溶剂的混合溶剂的溶液中进行反应,反应后从溶液中取出,洗涤,干燥;2)将碳纳米管浸入氯金酸和水溶性还原剂的含水溶剂的混合溶液中进行反应,反应后从溶液中取出,洗涤,干燥。所述碳纳米管电子器件的制造方法包括以下步骤:a)按照上述方法修饰碳纳米管;b)在光学显微镜下将网状掩膜覆盖在碳纳米管上;c)蒸镀金属电极;d)去除所述掩膜,获得碳纳米管电子器件。本发明适用于在光学显微镜下识别、观察、操纵碳纳米管并制造述碳纳米管电子器件。
申请公布号 CN101284664B 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200810106415.1 申请日期 2008.05.13
申请人 北京大学 发明人 褚海滨;李彦;王金泳
分类号 C01B31/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I 主分类号 C01B31/02(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 周政
主权项 一种碳纳米管的修饰方法,包括以下步骤:1)将碳纳米管浸入浓度为0.01mM到100mM的氯金酸的水和还原性有机溶剂的混合溶剂的溶液中进行反应,反应30秒到90分钟后从溶液中取出,洗涤,干燥;所述还原性有机溶剂为甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丙酮、乙醛、苯甲醇或苯甲醛或它们的混合物;所述水和还原性有机溶剂的体积比为1∶3到3∶1;2)将碳纳米管浸入浓度为0.01mM到25mM的氯金酸和浓度为0.01mM到25mM的水溶性还原剂的含水溶剂的混合溶液中进行反应,反应30秒到120分钟后从溶液中取出,洗涤,干燥;所述水溶性还原剂为葡萄糖、抗坏血酸、柠檬酸钠或盐酸羟胺或它们的混合物;所述含水溶剂为水,或水和甲醇、乙醇、丙醇或异丙醇或它们的混合物的混合溶剂。
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