发明名称 |
液晶显示装置阵列基板的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种液晶显示装置阵列基板的制造方法,包括在基板上依次沉积透明电极层和栅金属层,沉积光刻胶,采用第一掩模板进行掩模、蚀刻后,形成由栅金属层和透明电极层构成的栅线、栅电极和像素电极,去除剩余光刻胶;依次沉积栅绝缘层、非晶硅层和重掺杂非晶硅层,沉积光刻胶,采用第二掩模板进行掩模、蚀刻后,使栅绝缘层覆盖栅线并去掉像素电极上的栅金属层;沉积数据金属层,沉积光刻胶,采用第三掩模板进行掩模、蚀刻后,形成数据线,源漏电极及其间隔区域,去除剩余光刻胶。本发明通过减少掩膜板数到3次,使得总工程的容量大大增加,所用的时间缩短,产品成品率提高,从而降低产品成本。 |
申请公布号 |
CN101382712B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200710121529.9 |
申请日期 |
2007.09.07 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
宋泳珍 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
一种液晶显示装置阵列基板的制造方法,其特征在于:第一工程、基板表面依次沉积透明电极层和栅金属层,用第一掩模板蚀刻,形成由所述透明电极层和栅金属层构成的像素电极、栅线和从所述栅线分支出来的栅电极;第二工程、经过第一工程的基板表面依次沉积栅绝缘层、非晶硅层、重掺杂非晶硅层,用第二掩模板蚀刻,所述栅绝缘层覆盖住所述栅线和栅电极,所述栅电极上方残留非晶硅层和重掺杂非晶硅层,在所述像素电极上部去掉栅金属层露出所述透明电极层;第三工程、经过第二工程的基板表面沉积数据金属层,用第三掩模板蚀刻,即在数据线和源漏电极的上部形成相应的光刻胶图案,通过蚀刻工艺去掉未被光刻胶覆盖的数据金属层,形成源漏电极和数据线,所述源漏电极的间隔区域露出非晶硅层,沉积钝化层,通过剥离工艺去掉剩余光刻胶和位于光刻胶上的钝化层。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 |