半导体器件的制造方法

摘要

本发明披露了一种制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成至少两个具有不同厚度的栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上方沉积栅极材料；在栅极材料上方形成第一蚀刻掩模；通过利用第一蚀刻掩模蚀刻栅极材料来形成栅电极；以及形成第二蚀刻掩模，以使最厚的栅极绝缘层以及在最厚栅极绝缘层上形成的栅电极和第一蚀刻掩模暴露，并覆盖剩余区域，由此保留用于形成栅极的第一蚀刻掩模，即使在栅极形成之后也不将其去除，所述栅极用来在蚀刻栅极绝缘层时起屏障作用，并且在栅极绝缘膜上进行反应性离子蚀刻时，防止在其上方形成的栅极受到多次侵蚀，并且省去图1b中示出的除去光刻胶56的过程以使增加产量成为可能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成至少两个具有不同厚度的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的上方沉积栅极材料；在所述栅极材料上方形成第一蚀刻掩模；利用所述第一蚀刻掩模对所述栅极材料进行蚀刻，形成栅电极；形成第二蚀刻掩模，以暴露最厚的栅极绝缘层以及在最厚的栅极绝缘层上形成的栅电极和第一蚀刻掩模，并覆盖剩余的区域；用所述第二蚀刻掩模来蚀刻所述最厚的栅极绝缘层；除去所述第一和第二蚀刻掩模。