| 发明名称 | 用于一半导体装置的成形方法及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明用于一半导体装置的成形方法，包含下列步骤：形成一导电凸块于一底材的一表面；形成一介电层于导电凸块的一周围表面；设置底材于一基材的一表面，使具有介电层的导电凸块适容置于基材的一通孔；去除底材。所形成的半导体装置便包含基材、半导体集成电路及一导电结构。通孔贯设于基材中，半导体集成电路设置于基材中，导电结构设置于通孔中，以与半导体集成电路电性连接。导电结构包含导电凸块以及介电层。导电凸块的纵向尺寸大于通孔的纵向尺寸。介电层仅包覆于导电凸块的周围表面或更包覆于基材的部分表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN101494180B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200810004686.6 | 申请日期 | 2008.01.21 |
| 申请人 | 南茂科技股份有限公司;百慕大南茂科技股份有限公司 | 发明人 | 黄祥铭;刘安鸿;李宜璋;蔡豪殷;何淑静 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 一种用于一半导体装置的成形方法，其特征在于包含下列步骤：(a)形成一导电凸块于一底材的一表面上；(b)形成一介电层于该导电凸块的一周围表面；(c)设置该底材于一基材的一表面上，使具有该介电层的该导电凸块适容置于该基材的一通孔中；以及(d)藉由蚀刻、撕除或磨除以去除该底材。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||