发明名称 具有容灾技术的闪存数据存储/导出系统
摘要 本发明闪存数据存储/导出的容灾技术,包括:设计一个原子操作,原子操作过程中的任何内部操作要么全部执行,如果异常终止,那么已经操作的内容全部丢弃。其优点是:在系统出现突然的崩溃的时候,保证闪存存储的数据不会因为中途丢失而对前后存储的数据产生不良影响,也就是说,如果系统突然掉电了,那么系统正在记录的数据肯定会丢失,这是没有办法保留的,但是可以确保下次记入同样的数据的时候,能够允许存储操作继续执行,并且不会干扰前后存储的结果;也就是说,每批数据要么全部存入,要么存入失败。
申请公布号 CN101403986B 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200810197614.8 申请日期 2008.11.12
申请人 中国船舶重工集团公司第七○九研究所 发明人 袁行船;李勤
分类号 G06F11/14(2006.01)I;G06F12/00(2006.01)I 主分类号 G06F11/14(2006.01)I
代理机构 武汉金堂专利事务所 42212 代理人 胡清堂
主权项 一种具有容灾技术的闪存数据存储/导出系统,其特征在于:该系统包括NorFlash闪存和NandFlash闪存,系统采用原子操作对NorFlash闪存和NandFlash闪存进行数据读取或写入,所述原子操作是操作过程中的任何内部操作要么全部执行,如果异常终止,那么已经操作的数据全部丢弃;其中,NorFlash闪存用于存储记录点和读点,NandFlash闪存用于存储数据;所述记录点为一个写指针,用于表示系统每次记录一批数据的起始物理位置;所述读点为一个读指针,用于表示系统每次导出一批数据的起始物理位置;NorFlash闪存中采用由开始标记0、读点、记录点和结束标记0四个数据组成的数据记录来存储读点和记录点,并采用所述原子操作对所述数据记录进行读取或写入;数据写入NandFlash闪存时,每次写入完毕一批数据,都需要修改NorFlash闪存中的记录点,指向新的可记录数据的起始物理位置,读点不变;数据导出NandFlash闪存时,导出完毕就修改NorFlash闪存中的读点,记录点不变;对记录点或读点的每一次修改,都是一次在NorFlash闪存中写入新的所述数据记录的所述原子操作;用于存储数据的NandFlash闪存划分为永久无效块、暂时有效块、可擦除有效块和暂时无效块四种数据块类型,并按照四种数据块类型的不同性质,进行数据读取和写入,所述永久无效块是物理上无效,并且不包含任何有效数据、永久都不能记入新的数据的无效数据块;所述暂时有效块是依然存储部分有效数据的无效数据块,在没有导出这些有效数据之前,不能将该无效数据块作为永久无效块丢掉,在导出这些有效数据之后,将其标记为永久无效块;所述可擦除有效块是物理上有效,并且重新被擦除使用也不会导致数据丢失的有效数据块;所述暂时无效块是物理上有效,并且其上保留部分有效的数据,不能被擦除并记入新数据的数据块。
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