| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中该方法包括：提供一基底，该基底包括一第一材料；于该基底上形成至少一个栅极堆叠；于该基底中形成一或多个凹槽，其中该一或多个凹槽定义至少一个源极区域及至少一个漏极区域；以及于该一或多个凹槽中形成一袋区、包括一第二材料的一第一层膜及包括一第三材料个一第二层膜，该袋区设置于该第一层膜及该基底之间。本发明在源极/漏极区域与基底界面之间提供陡接面的袋区234，明显的改善短通道效应和/或降低漏电流。提升控制短通道效应能使半导体装置的微缩化持续进行。本发明减少于源极/漏极区域的SiGe部分中的应力松弛，以增进半导体装置的效能。本发明还降低通道掺杂度。 | ||
| 申请公布号 | CN101908506A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200910168037.4 | 申请日期 | 2009.08.19 |
| 申请人 | 中台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 官大明;柯志欣;李文钦 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，包括：提供一基底，该基底包括一第一材料；于该基底上形成至少一个栅极堆叠；于该基底中形成一或多个凹槽，其中该一或多个凹槽定义至少一个源极区域及至少一个漏极区域；以及于该一或多个凹槽中形成一袋区、包括一第二材料的一第一层膜及包括一第三材料的一第二层膜，该袋区设置于该第一层膜及该基底之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||