| 发明名称 | 硅-锗异质结双极晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅-锗异质结双极晶体管，包括T形发射极，所述T形发射极两侧为侧墙，所述T形发射极和侧墙整体的最大厚度为a，最小厚度为b，a与b的差值为c，c小于或等于b的5％，或者c小于或等于本发明还公开了上述硅-锗异质结双极晶体管的制造方法。本发明硅-锗HBT及其制造方法可以获得厚度均匀的发射极，尤其是上表面平整的发射极；同时对发射极窗口的保真度要求低，制造工艺简单；并且兼容于目前的CMOS工艺的金属栅极制造工艺，具有高兼容性。 | ||
| 申请公布号 | CN101908559A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200910057387.3 | 申请日期 | 2009.06.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
| 主权项 | 1.一种硅-锗异质结双极晶体管，包括T形发射极，所述T形发射极两侧为侧墙，其特征是，所述T形发射极和侧墙整体的最大厚度为a，最小厚度为b，a与b的差值为c，c小于或等于b的5％，或者c小于或等于<img file="F2009100573873C0000011.GIF" wi="139" he="54" /> | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||