发明名称 |
加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置 |
摘要 |
本发明公开了一种加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置,包括装载基片的载板,载板的下部固定有温度变形器件,载板的下方侧面对应于温度变形器件的位置设有测量光栅。温度变形器件能随载板的温度变化产生不同的变形,温度变形器件形变通过光栅的光量改变而捕捉,进而测量载板的温度。可以提高测温精度;对于温度过高的情况,可以测热电偶无法承受的区域温度。可以用于PECVD系统或其它需要在腔室内采用上下两层红外加热的系统,测量误差较小。 |
申请公布号 |
CN101906620A |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200910085892.9 |
申请日期 |
2009.06.03 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
蒲春 |
分类号 |
C23C16/50(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 |
代理人 |
赵镇勇 |
主权项 |
一种加热腔室,包括装载基片的载板,其特征在于,所述载板的下部固定有温度变形器件,所述载板的下方侧面对应于所述温度变形器件的位置设有测量光栅。 |
地址 |
100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 |