发明名称 加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置
摘要 本发明公开了一种加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置,包括装载基片的载板,载板的下部固定有温度变形器件,载板的下方侧面对应于温度变形器件的位置设有测量光栅。温度变形器件能随载板的温度变化产生不同的变形,温度变形器件形变通过光栅的光量改变而捕捉,进而测量载板的温度。可以提高测温精度;对于温度过高的情况,可以测热电偶无法承受的区域温度。可以用于PECVD系统或其它需要在腔室内采用上下两层红外加热的系统,测量误差较小。
申请公布号 CN101906620A 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200910085892.9 申请日期 2009.06.03
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 蒲春
分类号 C23C16/50(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 主分类号 C23C16/50(2006.01)I
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人 赵镇勇
主权项 一种加热腔室,包括装载基片的载板,其特征在于,所述载板的下部固定有温度变形器件,所述载板的下方侧面对应于所述温度变形器件的位置设有测量光栅。
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