发明名称 |
具有渐变组成的第Ⅲ族氮化物太阳能电池 |
摘要 |
本发明提供了一种用于太阳能电池中的组成渐变的第III族氮化物合金。在一个或多个实施方案中,形成InGaN或InAlN的合金,其中In组成在合金的两个区域之间是渐变的。所述组成渐变的第III族氮化物合金可以用于多种类型的太阳能电池结构中,包括具有串联太阳能电池特征的单P-N结太阳能电池、多结串联太阳能电池、具有低电阻隧道结的串联太阳能电池和其它的太阳能电池结构。该组成渐变的第III族氮化物合金拥有具有非常大调谐范围的直接带隙,例如对于InGaN从约0.7延伸至3.4eV,而对于InAlN从约0.7延伸至6.2eV。 |
申请公布号 |
CN101911312A |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200980101787.8 |
申请日期 |
2009.01.06 |
申请人 |
罗斯特里特实验室能源公司 |
发明人 |
瓦迪斯瓦夫·瓦卢基维兹;乔尔·W·阿格;庆·曼·友 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王旭 |
主权项 |
一种太阳能电池,其包括:组成渐变的第III族氮化物合金层;光电材料层;在所述组成渐变的第III族氮化物合金层和所述光电层之间的单P N结;和与所述单p n结关联的多个用于电荷分离的耗尽区。 |
地址 |
美国亚利桑那州 |