| 发明名称 | 化学机械研磨后残留物的去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种化学机械研磨后残留物的去除方法，包括：提供一化学机械研磨后的晶片；使用化学清洗液清洗所述晶片；使用去离子水冲洗所述晶片；再次使用所述化学清洗液清洗所述晶片。本发明可有效去除晶片表面的残留物，提高半导体器件的可靠性及稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101908465A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200910052550.7 | 申请日期 | 2009.06.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄孝鹏 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨后残留物的去除方法，包括：提供一化学机械研磨后的晶片；使用化学清洗液清洗所述晶片；使用去离子水冲洗所述晶片；再次使用所述化学清洗液清洗所述晶片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||