半导体构造、NAND单位单元、形成半导体构造的方法及形成NAND单位单元的方法

摘要

一些实施例包含形成半导体构造的方法。可形成n型掺杂材料与p型掺杂材料的交替层。可将所述交替层图案化成通过开口而彼此间隔开的多个垂直立柱。可用隧道电介质、电荷存储材料及阻挡电介质给所述开口加衬。可在所述经加衬开口内形成绝缘材料与导电控制栅极材料的交替层。一些实施例包含形成NAND单位单元的方法。可形成交替的n型材料与p型材料的立柱。可用隧道电介质层、电荷存储材料层及阻挡电介质层给所述立柱加衬。可在所述经加衬立柱之间形成绝缘材料与导电控制栅极材料的交替层。一些实施例包含半导体构造，且一些实施例包含NAND单位单元。

主权项

一种形成NAND单位单元的方法，其包括：在衬底上方形成垂直立柱，所述立柱包括n型掺杂半导体材料与p型掺杂半导体材料的交替层；以顺序次序用隧道电介质层、电荷存储材料层及电荷阻挡材料层给所述立柱加衬；及在所述经加衬立柱之间形成电绝缘材料与导电材料的交替层；所述导电材料层形成多个水平间隔开的控制栅极结构；将所述控制栅极结构中的至少一些控制栅极结构并入到所述NAND单位单元的串装置中。