| 发明名称 | 在基材上形成有阻挡层兼种子层的电子构件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供采用更简易的方法形成ULSI微细铜配线的技术。一种电子构件，是在基材上形成有作为ULSI微细铜配线的阻挡层兼种子层使用的钨与贵金属的合金薄膜的电子构件，该合金薄膜的组成是钨为50原子％以上、贵金属为5原子％～50原子％。作为所述贵金属，优选是选自钌、铑、铱中的1种或2种以上的金属。 | ||
| 申请公布号 | CN101911265A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200980101583.4 | 申请日期 | 2009.02.19 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 关口淳之辅;伊森彻 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种电子构件，是在基材上形成有作为ULSI微细铜配线的阻挡层兼种子层使用的钨与贵金属的合金薄膜的电子构件，该合金薄膜的组成是钨为50原子％以上、贵金属为5原子％～50原子％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||