发明名称 纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法
摘要 纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法,包括步骤如下:(A)用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的光刻掩模版;(B)对硅衬底进行常规清洁处理;(C)在经步骤(B)处理的硅衬底表面自旋涂覆一层厚度为1-3微米的普通紫外负性光刻胶;(D)使用步骤(A)制成的光刻掩模版;(E)在光刻胶图形结构上生长一层厚度为100-250纳米的铝金属薄膜;(F)去除光刻胶膜,形成与步骤(A)制成的光刻掩模版图形结构相同的铝材料图形结构;(G)进行深度硅材料刻蚀,制成硅材料一维纳米聚焦X射线组合透镜。
申请公布号 CN101221829B 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200810059020.0 申请日期 2008.01.07
申请人 浙江工业大学 发明人 董文;乐孜纯;梁静秋
分类号 G21K1/06(2006.01)I 主分类号 G21K1/06(2006.01)I
代理机构 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人 王兵;袁木棋
主权项 纳米聚焦X射线组合透镜的制作方法,其工艺步骤如下:(A)用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的光刻掩模版,所述光刻掩模版图形为,由多个依次同轴排布的组合透镜折射单元组成,所述折射单元由通孔状空气隙与透镜主体材料一起构成,所述空气隙的截面形状为椭圆形,所述空气隙对应椭圆短轴方向的最大口径尺寸小于相应椭圆的短轴尺寸,所述组合透镜折射单元的椭圆形空气隙的长轴位于同一直线上,所述空气隙对应的椭圆尺寸逐渐减小,由大到小顺序排列;(B)对硅衬底进行常规清洁处理;(C)在经步骤(B)处理的硅衬底表面自旋涂覆一层厚度为1 3微米的普通紫外负性光刻胶;(D)对涂覆好的紫外负性光刻胶进行曝光、显影、坚膜,使用步骤(A)制成的光刻掩模版,形成与步骤(A)制成的光刻掩模版图形结构相反的光刻胶图形结构;(E)在光刻胶图形结构上生长一层厚度为100 250纳米的铝金属薄膜,作为深度刻蚀硅的保护层;(F)去除光刻胶膜,形成与步骤(A)制成的光刻掩模版图形结构相同的铝材料图形结构;(G)进行深度硅材料刻蚀,刻蚀深度按所设计的一维纳米聚焦X射线组合透镜的厚度设定,范围在30 60微米,制成硅材料一维纳米聚焦X射线组合透镜。
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