| 发明名称 | 金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液 | ||
| 摘要 | 本发明涉及由作为半导体芯片的电极的金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液。该电镀浴液可以消除因为钝化膜的断坡产生的表面凹凸，形成在向半导体芯片的基板上实装时可以达到足够的接合强度的金电镀被膜。本发明的金凹凸或者金布线形成用的非氰系电解金电镀浴液，含有以下成分：亚硫酸金碱盐或者亚硫酸金铵作为金量为1～20g/L，水溶性胺为1～30g/L，Tl化合物、Pb化合物或者As化合物作为金属浓度为0.1～100mg/L，亚硫酸盐作为SO32-的量为5～100g/L，硫酸盐作为SO42-的量为1～120g/L，缓冲剂为0.1～30g/L，从钯盐、铂盐、锌盐以及银盐中任选一种以上的作为金属浓度为0.1～100mg/L。 | ||
| 申请公布号 | CN101235524B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200710166393.3 | 申请日期 | 2007.11.07 |
| 申请人 | 恩伊凯慕凯特股份有限公司 | 发明人 | 中村宏 |
| 分类号 | C25D3/48(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L21/445(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 金凹凸或者金布线形成用的金非氰系电解金电镀浴液，含有以下成分：亚硫酸金碱盐或者亚硫酸金铵作为金量为1～20g/L，水溶性胺为1～30g/L，Tl化合物、Pb化合物或者As化合物作为金属浓度为0.1～100mg/L，亚硫酸盐作为SO32 的量为5～100g/L，硫酸盐作为SO42 的量为1～120g/L，缓冲剂为0.1～30g/L，从钯盐、铂盐、锌盐以及银盐中任选一种以上的作为金属浓度为0.1～100mg/L。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||