| 发明名称 | 用于在氧化物膜中掺入氮的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明的第一方面提供了第一方法。第一方法包括步骤：(1)用高强度等离子体将处理室预处理；(2)将衬底装入所述处理室；和(3)在所述处理室内对所述衬底进行等离子体氮化。预处理所述处理室使用的等离子体功率比所述衬底的等离子体氮化过程中使用的等离子体功率高至少150％。本发明还提供许多其它方面。 | ||
| 申请公布号 | CN101238540B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200680028471.7 | 申请日期 | 2006.06.02 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 佐藤达也;帕特里夏·M·刘;法诺斯·克里斯图杜鲁 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 赵飞 |
| 主权项 | 一种用于将氮加入衬底的方法，包括：用高强度等离子体将处理室预处理；将衬底装入所述处理室；和在所述处理室内对所述衬底进行等离子体氮化；其中，预处理所述处理室使用的等离子体功率比所述衬底的等离子体氮化过程中使用的等离子体功率高至少150％。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||