| 发明名称 | 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于在衬底上使用兼容于所述CMOS工艺流程的工艺流程而单片地制造具有源极、漏极和栅极的横向双扩散MOSFET(LDMOS)晶体管的方法和系统。 | ||
| 申请公布号 | CN101034671B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200710080049.2 | 申请日期 | 2007.03.02 |
| 申请人 | 沃特拉半导体公司 | 发明人 | 游步东;马可·A·苏尼加 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 一种在衬底上制造具有源极区域、漏极区域和栅极区域的晶体管的方法，包括：在所述衬底的表面注入高电压n掺杂的n阱；在所述晶体管的源极区域和漏极区域之间形成栅极氧化物；使用导电材料覆盖所述栅极氧化物；在所述高电压n掺杂的n阱中，在所述晶体管的所述源极区域注入p掺杂的p主体；仅在所述晶体管的所述源极区域注入n掺杂的轻度掺杂源极并使该n掺杂的轻度掺杂源极在部分所述栅极区域之下横向延伸；在所述晶体管的所述源极区域注入第一n掺杂的n+区域，该第一n掺杂的n+区域与部分所述n掺杂的轻度掺杂源极重叠；在所述晶体管的所述漏极区域注入第二n掺杂的n+区域；以及在所述晶体管的所述源极区域注入p掺杂的p+区域，所述p掺杂的p+区域在所述第一n掺杂的n+区域远离所述栅极区域的一侧。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||