| 发明名称 | 含锆钨基的高电流密度电子发射体材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高电流密度电子发射体材料及制备方法，尤其涉及一种含锆钨基的高电流密度电子发射体材料及制备方法；本发明材料的基体为二氧化锆和钨，称取钨粉于氢炉内退火，粉碎，过80目筛后与ZrO2一起研磨混匀，成型，置于铝酸盐粉末中，氢气气氛中浸渍，清除浸渍后的浮盐，制得电子发射体材料。本发明所制得的锆钨基体的平均孔径变小，孔径分布变窄；阴极在工作温度1050℃时，发射电流密度为传统钡钨阴极的1.73-1.86倍。 | ||
| 申请公布号 | CN101221869B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200710190664.9 | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 南京工业大学 | 发明人 | 沈春英;丘泰;卢平 |
| 分类号 | H01J1/14(2006.01)I;H01J1/146(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;B22F9/00(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I;B22F3/26(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人 | 徐冬涛;袁正英 |
| 主权项 | 一种含锆钨基的高电流密度电子发射体材料，其特征在于材料的基体为二氧化锆和钨，其中二氧化锆占基体材料的重量百分比为1 8％，钨粉占基体材料的重量百分比为92％ 99％。 | ||
| 地址 | 210009 江苏省南京市中山北路200号 | ||