发明名称 |
复合材料和晶片保持部件及其制造方法 |
摘要 |
一种复合材料,由SiC、SiO2、Al或Si中的至少一种物质组成,He泄漏速率为1.3×10-10Pa·m3/sec或其以下。通过这种构成,可以得到具有高的真空气密性和优良的导热系数、可以调节热膨胀系数、强度波动小、具有高度可靠性的复合材料以及使用该复合材料的晶片保持部件。 |
申请公布号 |
CN101359589B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200810165789.0 |
申请日期 |
2004.10.27 |
申请人 |
京瓷株式会社 |
发明人 |
横山清;系永直子 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;B32B18/00(2006.01)I;B32B37/02(2006.01)I;B23K1/00(2006.01)I;C04B37/02(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/577(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
朱丹 |
主权项 |
一种晶片保持部件,其中以板状陶瓷体的一方的主面作为晶片的载置面,所述陶瓷体的另一方的主面或内部具备电极,所述板状陶瓷体的体积固有电阻率为108~1011Ω·cm,所述载置面的反面具备导体层,所述导体层的面积为所述载置面的面积的100%或其以上,所述晶片保持部件还包括通过所述导体层与板状陶瓷体接合的复合材料板,所述复合材料板含有SiC、Al和Si。 |
地址 |
日本京都府 |