发明名称 |
具有凹陷沟道结构的半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种具有凹陷沟道结构的半导体器件,其包括在半导体衬底的有源区域中的栅极形成区域中所形成的凹陷;在半导体衬底中形成的绝缘层,其定义有源区域并在沟道的宽度方向施加张力应力;形成于绝缘层表面中的应力源,其在沟道的高度方向施加一压缩应力;形成于有源区域内的凹陷上的栅极;以及形成于栅极两侧的有源区域表面中的源极/漏极。 |
申请公布号 |
CN101211912B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200710196447.0 |
申请日期 |
2007.12.03 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
崔康植 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种半导体器件,其包含有:在有源区域具有凹陷的半导体衬底;隔离结构,形成在所述半导体衬底中并定义所述有源区域,该隔离结构在沟道的宽度方向施加张力应力;应力源,其至少部分地形成于所述隔离结构内,并被配置为在沟道的高度方向施加压缩应力;栅极,其至少部分地形成于所述有源区域中的凹陷内;以及第一和第二掺杂区域,分别形成在所述栅极的第一和第二侧。 |
地址 |
韩国京畿道 |