薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明适用于半导体组件技术领域，提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，所述制造方法包括下列步骤。在基板上形成下闸极、闸绝缘层及非晶半导体层，非晶半导体层具有不平坦的上表面；透过不平坦的上表面对非晶半导体层进行激光退火制程，以将非晶半导体层转换为具有较小结晶部及较大结晶部的多晶半导体层，较大结晶部中的晶粒尺寸大于较小结晶部中的晶粒尺寸；在多晶半导体层上形成另一闸绝缘层、上闸极及图案化光阻层，上闸极及下闸极的图案由同一个光罩所定义；在多晶半导体层中形成源/汲极；对上闸极及图案化光阻层进行具有蚀刻选择性的蚀刻制程，使上闸极的长度小于下闸极的长度。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：在一基板上形成一下闸极，其中所述下闸极的图案由一光罩所定义；在所述基板上形成一第一闸绝缘层，以覆盖所述下闸极，其中所述第一闸绝缘层具有一第一平坦部、一第二平坦部以及一阶梯部，所述第一平坦部位于所述下闸极的正上方，所述第二平坦部位于未被所述下闸极所覆盖的所述基板的上方，所述阶梯部位于所述第一平坦部、所述第二平坦部以及所述下闸极三者之间；在所述第一闸绝缘层上形成一非晶半导体层，其中所述非晶半导体层覆盖所述下闸极以及所述基板，如此所述非晶半导体层透过所述阶梯部而具有一不平坦的上表面；透过所述不平坦的上表面对所述非晶半导体层进行一激光退火制程，以将所述非晶半导体层转换为具有一较小结晶部以及一较大结晶部的一多晶半导体层，其中所述较小结晶部与所述阶梯部相对应，所述较大结晶部与所述第一平坦部相对应，且所述较大结晶部中的晶粒尺寸大于所述较小结晶部中的晶粒尺寸；在所述多晶半导体层上依序形成一第二闸绝缘层、一上闸极以及一图案化光阻层，其中所述上闸极的图案以及所述图案化光阻层由所述光罩所定义；以所述第二闸绝缘层、所述上闸极以及所述图案化光阻层作为罩幕，对所述多晶半导体层进行离子植入制程，以在所述多晶半导体层中形成一源极以及一汲极；以及进行一蚀刻制程，所述蚀刻制程对所述上闸极以及所述图案化光阻层具有蚀刻选择性，以使所述上闸极的长度小于所述下闸极的长度。