| 发明名称 | a-IGZO氧化物薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 提供一种在溅射法中，能够使膜的载流子浓度再现性良好地为规定值的a-IGZO氧化物薄膜的制备方法。一种非晶质In-Ga-Zn-O系氧化物薄膜的制备方法，其包括：使用如下氧化物烧结体作为溅射靶，使溅射功率密度为2.5-5.5W/cm2，在基板上进行直流溅射成膜，该氧化物烧结体主要以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(O)为构成元素，铟相对于铟和镓的合计量的原子数比[In]/([In]+[Ga])为20％-80％，锌相对于铟、镓及锌的合计量的原子数比[Zn]/([In]+[Ga]+[Zn])为10％-50％，电阻率为1.0×10-1Ωcm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101910450A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200880122931.1 | 申请日期 | 2008.12.24 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 生泽正克;矢作政隆 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 郭煜;李炳爱 |
| 主权项 | 一种非晶质In Ga Zn O系氧化物薄膜的制备方法，其包括：使用如下氧化物烧结体作为溅射靶，使溅射功率密度为2.5 5.5W/cm2，在基板上进行直流溅射成膜；该氧化物烧结体主要以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(O)为构成元素，铟相对于铟和镓的合计量的原子数比[In]/([In]+[Ga])为20％ 80％，锌相对于铟、镓及锌的合计量的原子数比[Zn]/([In]+[Ga]+[Zn])为10％ 50％，电阻率为1.0×10 1Ωcm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||